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AMD芯片技术获得新突破 晶体管性能提高一半

时间：2004/10/8 13:46:00来源：本站整理作者：蓝点我要评论(0)



    美国东部时间9月18日(北京时间9月19日)消息，AMD公司的最新款的三闸极式(triple-gate)晶体管诞生了。这款最新的三闸极式(triple-gate)晶体管采用了绝缘件(SOI)硅片和metal gate技术，使得性能有了突破性的提高。据悉，这款新芯片比同类型产品的性能高出50%。



　　AMD称，这款最新三闸极式(triple-gate)晶体管融合了多种技术。这款芯片的极细的

电路使用了绝缘件(SOI)硅片，硅片的三侧面为镍硅化合物的metal gate。由于结构的合理性，这款芯片具有更好的移 动特性。



　　同时，AMD称，这个多闸的绝缘件(SOI)硅片提高了电路宽度的利用率。这样，就可以在同样的宽度上，降低了电流，并增强了整流能力。这样，芯片在总体功能上比以前的芯片明显要高出了许多。(新浪科技 明月编译）

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